fqpf8n60c jeweils Anwendungseigenschaften FET 650V MOSFET, MOSFET, Fairchild-FET und FET-Transistors 1. Die Source-Elektrode S, eine Gate-g, einer Drain D entsprechen jeweils den Transistoremitter e, der Basis b der Kollektor c, ?hnlich wie ihre Wirkung. 2. FET ist eine spannungsgesteuerte Stromger?ten durch VGS iD gesteuert wird, ist dessen Verst?rkungsfaktor gm in der Regel klein und damit die F?higkeit der armen Verst?rkung FET, Transistor stromgesteuerten Ger?t 75V MOSFET, von iB (oder iE) Steuer iC. 3. FET-Gate-FET kaum nehmen Sie die aktuelle (ig ?0), und die Transistorbasis Arbeit immer ziehen einen bestimmten Strom. Somit FET-Gate-Eingangswiderstand ist h?her als der Eingangswiderstand des Transistors. fqp50n06, FET, MOSFET, niedrige Rauschzahl 800V MOSFET Child FET, ein hoch in den rauscharmen Verst?rker-Eingangsstufe und erfordert SNR FET-Schaltungen zu w?hlen. FET und Transistoren k?nnen aus einer Vielzahl von Verst?rker und Schaltkreise aufgebaut werden, aber weil das erstere Herstellungsverfahren ist einfach und hat niedrigen Stromverbrauch, eine gute thermische Stabilit?t, breiten Betriebsspannungsbereich usw. MOSFET, die weit in gro?em Ma?stab verwendet wird, und ultrahochintegrierten Schaltungen. Transistor Leitwiderstand ist FET Widerstand klein, nur ein paar hundert Milli Ohm, die Stromverbrauchseinrichtungen, in der Regel mit der FET-Schalter, um zu verwenden, ist sein Wirkungsgrad relativ hoch. Wal-Elektronik Gro?handel _MOSFET_ MOSFET werden von der Stadt Dongguan vorgesehen ist fruchtbar Electronic Technology Co., Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) starke, glaubwürdige, FET und andere Industrien in Dongguan, Guangdong hat eine gro?e Zahl von treuen Kunden angesammelt. Das Unternehmen bessere Arbeitshaltung und verbessert st?ndig innovative Ideen führen wird die Elektronik ist fruchtbar und Sie Hand in die brillante, für eine bessere Zukunft!