IRF640N, FET FET 5N60, Leistungs-MOSFET 1. Die Rolle der FET verwendet werden, um zu vergr??ern werden. Da der FET Verst?rkereingangsimpedanz hoch ist, und daher die Kopplungskondensator kleiner Kapazit?t FET sein, ohne die Verwendung eines Elektrolytkondensators. 2. FET hochohmigen Eingangsimpedanz ist sehr geeignet für die Umwandlung. H?ufig in der mehrstufigen Verst?rkereingangsstufe zur Impedanztransformation verwendet. 3. FET kann als ein variabler Widerstand verwendet werden. Der FET kann praktischerweise als eine Konstantstromquelle verwendet werden. 5. FET kann als elektronischer Schalter verwendet werden. g40n60, FET, MOSFET FET 190N08, IGBT einige FET-Source und Drain austauschbar verwendet werden k?nnen, kann die Gate-Spannung positiv oder negativ ist, eine gute Flexibilit?t als Transistoren sein. FET geeignet für den Betrieb bei niedrigem Strom und niedriger Spannung Bedingungen und ihre Herstellungsverfahren kann leicht stecken viel FET integriert auf einem Silizium-Wafer, so erhaltenen Feldeffekttransistors in der LSI breite Palette von Anwendungen. FET 190N08, sind fruchtbar Electronics (zertifiziert), ist FET von der Dongguan City vorgesehen Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) ist Dongguan, FET Führer, im Laufe der Jahre ist das Unternehmen die Umsetzung der wissenschaftlichen Verwaltung, Innovation und Entwicklung, das Prinzip der Ehrlichkeit und Vertrauenswürdigkeit, und erfüllen Kundenbedürfnisse. Wal-Elektronik führend in der positiven mit den Mitarbeitern herzlich begrü?en alle Anfragen Verhandlungen eine positive Zukunft Wal-Elektronen besser erstellen.