IRF640N FET FET 5N60, in MOSFET FET Sperrschicht-FET (JFET) und isolierten Gate-Feldeffekttransistor (MOS-Rohr) in zwei Kategorien. Drücken den Kanal Materialtyp und Untertyp-Isolierschicht-Gate-N-Kanal- und P-Kanal zwei Arten, mit leitenden Wegen: Verarmungs und Anreicherungs, JFET vom Verarmungsmodus, sowohl isolierte Gate-Feldeffekttransistor es ist ein Verarmungstyp, sondern auch verbessert. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren kann in Feldeffekttransistoren und MOS-Feldeffekttransistor FET IRFP150N unterteilt werden, und der MOS-Feldeffekttransistor wird in N-Kanal-Verarmungsmodus aufgeteilt und verst?rkt; P-Kanal-Verarmungsmodus und verbesserte vier Kategorien. irf540n, TO-263 FET IRFP260N, patch FET, MOSFET mit Vorteil: FET ein Spannungssteuerelement, und der Transistor ist ein Stromsteuerelement. FET bei nur erlaubt, weniger Strom von der Signalquelle zu nehmen, sollte die FET verwendet werden; in geringer Signalspannung und die Erlaubnis, mehr Strom von der Signalquelle zu tragen, sollten in Transistoren verwendet werden. FET ist die Verwendung der Majorit?tstr?gerleitung, sogenannte unipolare Vorrichtung und beide Transistoren sind die Majorit?tsladungstr?ger, aber auch die Verwendung von Minorit?tstr?gerleitung, die so genannte bipolare Vorrichtungen. FET FET _ 190N08_ sind fruchtbar Electronics Dongguan City ist von Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) starke, glaubwürdige, FET und andere Industrien in Dongguan, Guangdong hat eine gro?e Zahl von treuen Kunden angesammelt. Das Unternehmen bessere Arbeitshaltung und verbessert st?ndig innovative Ideen führen wird die Elektronik ist fruchtbar und Sie Hand in die brillante, für eine bessere Zukunft!