irf3710z zu 252 SMD FET, FET, MOSFET Features: FET gegenüber Bipolar-Transistor, FET hat die folgenden Eigenschaften. (1) Die FETs sind spannungsgesteuerten Ger?ten 12n60 FET, seiner ID (Drainstrom) von VGS zu kontrollieren (Gate-Source-Spannung), die Stromsteuereingang (2) FET ist extrem klein, so dass es Eingangs Widerstand (107 ~ 1012Ω) gro?. (3) Es ist die Verwendung von Majorit?tsladungstr?gerleitung FET IRFP460, so dass es eine bessere Temperaturstabilit?t, (4) sie aus einem Spannungsverst?rkungsfaktor der Verst?rkerschaltung zusammen mit weniger als der Transistorverst?rkerschaltung aus einem Spannungsverst?rkungsfaktor ist; (5 ) FET anti-Strahlung und stark; (6) aufgrund der Elektronendiffusions chaotisch Schrotrauschen durch die Bewegung er nicht existiert verursacht, so niedrigen Rauschens. IRF640N irfp150 FET, FET, MOSFET-FET in Sperrschicht-FET (JFET) und isolierten Gate-Feldeffekttransistor (MOS-Rohr) in zwei Kategorien. Drücken den Kanal Materialtyp und Untertyp-Isolierschicht-Gate-N-Kanal- und P-Kanal zwei Arten, mit leitenden Wegen: Verarmungs und Anreicherungs, JFET vom Verarmungsmodus, sowohl isolierte Gate-Feldeffekttransistor es ist ein Verarmungstyp, sondern auch verbessert. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren kann in Feldeffekttransistoren und MOS-Feldeffekttransistoren unterteilt ist, wird der MOS-Feldeffekttransistor in N-Kanal-Verarmungsmodus aufgeteilt und verst?rkt; P-Kanal-Verarmungsmodus und verbesserte vier Kategorien. 12n60 FET | MOSFET | Wal elektronische Spannungswandler von der Dongguan City vorgesehen ist Wal-Electronic Technology Co., Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) starke, glaubwürdige, FET und andere Industrien in Dongguan, Guangdong hat eine gro?e Zahl von treuen Kunden angesammelt. Das Unternehmen bessere Arbeitshaltung und verbessert st?ndig innovative Ideen führen wird die Elektronik ist fruchtbar und Sie Hand in die brillante, für eine bessere Zukunft!