irfp260N, FET, Netz MOSFET Parameteraustauschparameter k?nnen in den Ausgangswiderstand geteilt werden und liegt im allgemeinen zwischen Zehntausende bis Hunderttausende von europ?ischen niederfrequenten Transkonduktanz Europe zwei Parameter IRF730 FET Ausgangswiderstand, und niederfrequente Transkonduktanz allgemeine Innerhalb von wenigen Zehntelmillimetern bis zu einigen Milli W Bereich, speziell bis zu 100 ms oder sogar noch h?her. Niederfrequenz-Steilheit gm ist es zu beschreiben, das Tor, der Drain-Source-Spannung Regelverhalten Strom. Kapazit?ten der FET Kapazit?t zwischen den drei Elektroden ist es kleiner der Wert desto besser die Leistung des Rohres. IRF3205, FET, wobei das Gate des pin-übergangstyp-Feldstrom MOSFET Identifizieren FET ?quivalenten Basis des Transistors, der Source und Drain entsprechen dem Transistor Emitter und Kollektor in der Feldeffektrohrmast. Das Multimeter R × 1k Datei zusammen mit den beiden Leitungen wurden verwendet, um positive und negative Widerstand zwischen je zwei Stifte messen. Wenn positive und negative Widerstand zwischen zwei Stiften gleich einem IRF640 FET, wenn sowohl die Anzahl von K & Omega IRF9630 FET, die zwei Stifte für den Drain D und die Source S (austauschbar), und die restlichen ein Stift ist das Gate G. Für vier Stiftsperrschicht-FET ist der andere Pol abgeschirmten Pol (Einsatz Erde). IRF730 FET, sind fruchtbar Electronics (zertifiziert), ist FET von der Dongguan City vorgesehen Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) ist Dongguan, FET Führer, im Laufe der Jahre ist das Unternehmen die Umsetzung der wissenschaftlichen Verwaltung, Innovation und Entwicklung, das Prinzip der Ehrlichkeit und Vertrauenswürdigkeit, und erfüllen Kundenbedürfnisse. Wal-Elektronik führend in der positiven mit den Mitarbeitern herzlich begrü?en alle Anfragen Verhandlungen eine positive Zukunft Wal-Elektronen besser erstellen.