IRFP460 IRF730 FET, FET, MOSFET Drainstrom IDSS DC S?ttigungsparameter, die wie folgt definiert ist: wenn die Gate-Spannung gleich Null ist, zwischen der Source und Drain-FET-Source-Spannung gr??er ist als die Pinch-Off Wenn Spannung IRF9540N FET, einem Drain-Strom entspricht. UGS erforderlich, wenn eine bestimmte Zeit UDS, so da? die ID ist mit einem winzigen Strom verringert: pinch-off-Spannung hoch, die wie folgt definiert ist. Es wird als die Einsatzspannung UT definiert: erforderlich bei gewissen Zeit UDS IRF640 FET, so ID einen bestimmten Wert hat UGS erreicht. irf3710z zu-252-Patch, FET, MOSFET Drain-Strom Obergrenze Parameter ① bezieht Rohrleitungen Drain-Strom zul?ssigen oberen Grenzwert, ② maximale Verlustleistung ist die Leistung in der R?hre, wobei die R?hre Begrenzen der maximalen Betriebstemperatur, ③ maximale Drain-Source-Spannung ist in der Lawinendurchbruch stattfindet, beginnt sich der Drainstrom stark zu steigen, wenn die Spannung, ④ maximale Gate-Source-Spannung die Gate-Source-Spannungswert stark ansteigt, wenn der Strom beginnt, umgekehrt. Zus?tzlich zu diesen Parametern sowie Kapazit?t zwischen den Elektroden, Hochfrequenzparameter und andere Parameter. Drain, Source-Durchbruchspannung, wenn ein scharfer Anstieg in der Abflu?strom erzeugt wird, wenn der Lawinendurchbruch UDS. Gate-Durchbruchsspannung JFET ordnungsgem?? funktioniert, PN-übergangs-Gate, eine Source in der Sperrvorspannung zwischen dem Zustand, wenn der Strom zu hoch ist, die resultierende Zusammenbruch. IRF9630 FET FET _ _ sind fruchtbar Electronics Dongguan City ist von Wal-Electronic Technology Co., Ltd zur Verfügung gestellt .. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) starke, glaubwürdige, FET und andere Industrien in Dongguan, Guangdong hat eine gro?e Zahl von treuen Kunden angesammelt. Das Unternehmen bessere Arbeitshaltung und verbessert st?ndig innovative Ideen führen wird die Elektronik ist fruchtbar und Sie Hand in die brillante, für eine bessere Zukunft!