Welcome To b2b168.com, Registrieren | Sign In
中文(简体) |
中文(繁體) |
English |Francés |Español |Pусский |
| No.13637641

- Produktkategorie
- Links
- Zuhause > Stromzuführungen > IRFB4115 FET, sind fruchtbar Electronics (zertifiziert), FET
Information Name: | IRFB4115 FET, sind fruchtbar Electronics (zertifiziert), FET |
Veröffentlicht: | 2015-01-13 |
Gültigkeit: | 0 |
Technische Daten: | Begrenzt |
Menge: | |
Preis Beschreibung: | |
Ausführliche Produkt-Beschreibung: | fqp13n50c FET IRFZ48N FET VERGLEICHSChild MOSFET FET und Bipolartransistoren: FET eine Spannungssteuerungsvorrichtung, wobei das Gate nicht wesentlich Strom zu nehmen, und der Transistor ein Strom gesteuerte Vorrichtung muss die Basisstation entfernt werden ein konstanter Strom. Somit kann in einem sehr kleinen Quelle Nennstromsituation sollte FET zu verwenden. FET ist ein Multi-leitend und die beiden Tr?ger sind in der Transistor leitend beteiligt. Da die Konzentration der Minorit?tstr?ger von der Temperatur, Strahlung usw. sind empfindlich gegenüber ?u?eren Bedingungen IRF840 FET und daher ein gro?es Geh?use für die Umweltver?nderungen, die geeignetere FET. Zus?tzlich zu der gleichen FET-Transistor kann als ein Verst?rker Teile und steuerbarer Schalter verwendet werden, es kann auch Gebrauch machen von spannungsgesteuerten variablen linearen Widerstand. FETs Source und Drain sind symmetrisch in der Struktur, kann austauschbar verwendet, vom Verarmungstyp-MOS-Transistors des Gates werden - Source-Spannung kann positiv oder negativ sein. Daher ist die Verwendung flexibler als FET-Transistor ist. irfp260N FET FET, Netz MOSFET Parameteraustauschparameter k?nnen in niederfrequente Ausgangswiderstand geteilt und Transkonduktanz zwei Parameter, der Ausgangswiderstand im allgemeinen zwischen Zehntausende bis Hunderttausende von Euro in Europa, w?hrend der Niederfrequenz-Transkonduktanz allgemeine Innerhalb von wenigen Zehntelmillimetern bis zu einigen Milli W Bereich, speziell bis zu 100 ms oder sogar noch h?her. Niederfrequenz-Steilheit gm ist es zu beschreiben, das Tor, der Drain-Source-Spannung Regelverhalten Strom. Kapazit?ten der FET Kapazit?t zwischen den drei Elektroden ist es kleiner der Wert desto besser die Leistung des Rohres. IRFB4115 FET, sind fruchtbar Electronics (zertifiziert), ist FET von der Dongguan City vorgesehen Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) ist Dongguan, FET Führer, im Laufe der Jahre ist das Unternehmen die Umsetzung der wissenschaftlichen Verwaltung, Innovation und Entwicklung, das Prinzip der Ehrlichkeit und Vertrauenswürdigkeit, und erfüllen Kundenbedürfnisse. Wal-Elektronik führend in der positiven mit den Mitarbeitern herzlich begrü?en alle Anfragen Verhandlungen eine positive Zukunft Wal-Elektronen besser erstellen. |
Admin>>>
Sie sind der 27471 Besucher
Copyright © GuangDong ICP No. 10089450, Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.
Technischer Support: ShenZhen Immer Technology Development Co., Ltd
Immer Network 's Disclaimer: Die Legitimität des Enterprise Information übernimmt keine Garantie Verantwortung
Sie sind der 27471 Besucher
Copyright © GuangDong ICP No. 10089450, Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd. All rights reserved.
Technischer Support: ShenZhen Immer Technology Development Co., Ltd
Immer Network 's Disclaimer: Die Legitimität des Enterprise Information übernimmt keine Garantie Verantwortung