fqp50n06 IRF740 FET, FET, Rauschma? MOSFET, Fairchild FET klein, rauscharmen Verst?rker-Eingangsstufe und erfordern einen h?heren Rauschabstand der Schaltung, um den FET zu w?hlen. FET und Transistoren k?nnen aus einer Vielzahl von Verst?rker und Schaltkreise aufgebaut werden, aber weil das erstere Herstellungsverfahren ist einfach und hat niedrigen Stromverbrauch FET, eine gute thermische Stabilit?t, breiten Betriebsspannungsbereich, etc., die weithin eingesetzt werden Gro? und ultrahochintegrierten Schaltungen. Transistor Leitwiderstand, FET Widerstand klein, nur ein paar hundert Milli Ohm, die Stromelektrizit?t IRF1404 MOSFET-Vorrichtungen werden im allgemeinen mit der FET-Schalter, zu benutzende, sein Wirkungsgrad ist relativ hoch. IRFP460 IRF840 FET, FET, MOSFET Drainstrom IDSS DC S?ttigungsparameter, die wie folgt definiert ist: wenn die Gate-Spannung gleich Null ist, zwischen der Source und Drain-FET-Source-Spannung gr??er ist als die Pinch-Off Spannung entsprechend der Drain-Strom. UGS erforderlich, wenn eine bestimmte Zeit UDS, so da? die ID ist mit einem winzigen Strom verringert: pinch-off-Spannung hoch, die wie folgt definiert ist. Es wird als die Einsatzspannung UT definiert: Wenn eine bestimmte Zeit UDS, so dass, wenn Sie die gewünschte ID UGS einen bestimmten Wert erreichen. IRFP3703 FET, FET, sind fruchtbar Electronics Dongguan City ist von Wal-Electronic Technology Co., Ltd zur Verfügung gestellt .. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) starke, glaubwürdige, FET und andere Industrien in Dongguan, Guangdong hat eine gro?e Zahl von treuen Kunden angesammelt. Das Unternehmen bessere Arbeitshaltung und verbessert st?ndig innovative Ideen führen wird die Elektronik ist fruchtbar und Sie Hand in die brillante, für eine bessere Zukunft!