irf540n mos Rohr 58n20, TO-263, SMD FET, MOSFET Produkteigenschaften (1) übertragungseigenschaften: die Rolle der Gate-Spannung auf die Steuerkennlinien des Drain-Stroms wird als Metastasierung. (2) Ausgangskennlinie: ID Beziehung UDS und Ausgangskennlinien bezeichnet. Amplification (3) Junction FET: Sperrschicht-FET Verst?rker bezieht sich allgemein auf die Spannungsverst?rkung. fqpf8n60c FET mos Rohr, MOSFET, Fairchild (1) Um die Verwendung von FET zu sichern, kann die Verlustleistung des Rohrstücks und der maximale Drain-Source-Spannung, die maximale Gate-Source-Spannung und der Maximalstrom in den Schaltungsentwurfsparameter wie beispielsweise die nicht überschreitet Grenze. (2) Der Typ FET, wenn verwendet, mu? in strikter übereinstimmung mit den Anforderungen der Zugriffsschaltung Vorspannung zu sein, mit der FET-Vorspannpolarit?t entsprechen. Wie JFET-Gate zwischen Source und Drain ist ein PN-übergang, k?nnen N-Kanal-R?hrengitter nicht hinzufügen positive Vorspannung; P-Kanal-Schlauch k?nnen nicht hinzufügen negativen Gatevorspannung mos Rohr 24n50, mos Rohr, fruchtbar Elektronen von Dongguan Wal-Electronic Technology Co., Ltd. zur Verfügung. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) starke, glaubwürdige, FET und andere Industrien in Dongguan, Guangdong hat eine gro?e Zahl von treuen Kunden angesammelt. Das Unternehmen bessere Arbeitshaltung und verbessert st?ndig innovative Ideen führen wird die Elektronik ist fruchtbar und Sie Hand in die brillante, für eine bessere Zukunft!