irf3710z zu-252-Patch, FET, MOSFET Drain-Strom Obergrenze Parameter ① bezieht Rohrleitungen Drain-Strom zul?ssigen oberen Grenzwert, ② maximale Verlustleistung ist die Leistung in der R?hre, wobei die R?hre Die maximale Betriebstemperatur des MOS-Transistors 12n60 begrenzen, ③ die maximale Drain-Source-Spannung ist der Lawinendurchbruch auftritt, wird der Drainstrom beginnt stark zu steigen, wenn die Spannung, ④ die maximale Gate-Source-Spannung die Gate-Source beginnt, scharf ab, wenn ein Rückw?rtsstrom zu erh?hen Spannungswert. Neben dieser Parameter au?erhalb des MOS-Transistors andere Parameter 10n60 sowie Kapazit?t zwischen den Elektroden, Hochfrequenz-Parametern. Drain, Source-Durchbruchspannung, wenn eine starke Zunahme der Drain-Strom MOS, produzieren UDS bei Lawinendurchbruch. Tor Bruchspannung JFET ordnungsgem?? funktioniert, PN-übergang Tor, eine Quelle in der Sperrspannung zwischen dem Zustand, wenn der Strom zu hoch MOS-Transistor 7n60, dann produzieren Zusammenbruch. irf540n, TO-263, SMD FET Produkteigenschaften Leistungs-MOSFET (1) übertragungseigenschaften: die Rolle der Gate-Spannung auf die Steuerkennlinien des Drain-Stroms wird als Metastasierung. (2) Ausgangskennlinie: ID Beziehung UDS und Ausgangskennlinien bezeichnet. Amplification (3) Junction FET: Sperrschicht-FET Verst?rker bezieht sich allgemein auf die Spannungsverst?rkung. MOS Rohr 6n60_MOS Rohr _ sind fruchtbar Electronics Dongguan City ist von Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) starke, glaubwürdige, FET und andere Industrien in Dongguan, Guangdong hat eine gro?e Zahl von treuen Kunden angesammelt. Das Unternehmen bessere Arbeitshaltung und verbessert st?ndig innovative Ideen führen wird die Elektronik ist fruchtbar und Sie Hand in die brillante, für eine bessere Zukunft!