fqp50n06, FET, MOSFET, Fairchild FET w?hrend der Installation, beachten Sie die Lage der Anlage soll in der N?he des Heizelements vermieden werden, um die Rohr Vibrationen zu vermeiden, ist es notwendig, eine Versch?rfung des Mantelrohrs ist; Pinbelegung beim Biegen, sollte gr??er sein als die Gr??e von 5 mm an der Wurzel ist, das Biegen der Stifte und zu undichten Stellen und andere ausgeschaltet zu verhindern. Muss rechts Heizungsrohr nach der Verwendung der VMOS hinzugefügt werden. In VNF306 als Beispiel, wird die Installation des Rohrs 140 x 140 x 4 (mm) der W?rmesenke nach K1837 FET, der maximalen Leistung um 30 Watt erzielen. fqpf8n60c, FET FET, MOSFET FQL40N50 MOSFET von Fairchild MOSFET aufgrund der hohen Eingangsimpedanz 47N60C3 FET, so dass der Transport, Einlagerung Die kurzgeschlossen werden Leads, verwenden Metallabschirmung Verpackung verhindern externe Induktions gebundenen Gate-Durchbruchs. Achten Sie besonders auf, kann nicht in einem MOS-FET-Kunststoff-Box platziert werden, wenn Sie die beste auf dem Metall-Box zu speichern, sondern ihre Aufmerksamkeit auch auf das Rohr Feuchtigkeit. 47N60C3 FET _ sind fruchtbar Electronics (zertifiziert) _ FET Dongguan City ist von Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) ist Dongguan, FET Führer, im Laufe der Jahre ist das Unternehmen die Umsetzung der wissenschaftlichen Verwaltung, Innovation und Entwicklung, das Prinzip der Ehrlichkeit und Vertrauenswürdigkeit, und erfüllen Kundenbedürfnisse. Wal-Elektronik führend in der positiven mit den Mitarbeitern herzlich begrü?en alle Anfragen Verhandlungen eine positive Zukunft Wal-Elektronen besser erstellen.