fqpf8n60c, FET, MOSFET, Fairchild MOSFET aufgrund der extrem hohen Eingangswiderstand, so dass der Transport, Einlagerung Die kurzgeschlossen werden Leads, verwenden Metallabschirmung Verpackung an ausl?ndische Induktion gebunden Tor Zusammenbruch zu verhindern. Achten Sie besonders auf, kann nicht in einem MOS-FET-Kunststoff-Box platziert werden, wenn Sie die beste auf dem Metall-Box zu speichern, sondern ihre Aufmerksamkeit auch auf das Rohr Feuchtigkeit. g40n60, FET, MOSFET, IGBT für Leistungs-FET FET, eine gute W?rmeabfuhr. Da der Leistungs-FET Verwendung unter hohen Lastbedingungen, müssen so gestaltet sein Heizk?rper IRFB61N15D FET genug, um sicherzustellen, da? die Geh?usetemperatur den Stern IRFB4115 FET, wobei die Vorrichtung langzeitstabile und zuverl?ssige Arbeit nicht überschreiten. Kurz gesagt, um die sichere Verwendung von FET zu gew?hrleisten, sind die Noten vielf?ltig, sondern auch eine Reihe von Sicherheitsma?nahmen gro?en Strom-FET, die Mehrheit der professionellen und technischen Personals, vor allem die Mehrheit der elektronischen Enthusiasten, basieren soll ihrer tats?chlichen Situation, um praktische Ma?nahmen mit guten FET zu nehmen, sicher und effektiv. IRFP4332 FET, sind fruchtbar Electronics (zertifiziert), ist FET von der Dongguan City vorgesehen Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) ist Dongguan, FET Führer, im Laufe der Jahre ist das Unternehmen die Umsetzung der wissenschaftlichen Verwaltung, Innovation und Entwicklung, das Prinzip der Ehrlichkeit und Vertrauenswürdigkeit, und erfüllen Kundenbedürfnisse. Wal-Elektronik führend in der positiven mit den Mitarbeitern herzlich begrü?en alle Anfragen Verhandlungen eine positive Zukunft Wal-Elektronen besser erstellen.