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- Zuhause > Stromzuführungen > Hochstrom-FET FET _ _ sind fruchtbar Electronics
Information Name: | Hochstrom-FET FET _ _ sind fruchtbar Electronics |
Veröffentlicht: | 2015-01-23 |
Gültigkeit: | 0 |
Technische Daten: | Begrenzt |
Menge: | |
Preis Beschreibung: | |
Ausführliche Produkt-Beschreibung: | irf540n, auf-263, SMD FET, um die Leistungs-MOSFET FET-Gate-Induced Breakdown zu verhindern, verlangt, dass alle Testger?te, Workstations, Bügeleisen, Linie selbst ist eine gute Erdung haben; Stift in Schwei? erste Schwei?quelle, vor der Schaltung verbunden, alle das vordere Ende der R?hre gegenseitig kurzgeschlossen Zustand hoher Spannung FET zu halten, und dann erst nach dem Kurzschlussschwei?material entfernt, wenn das Rohr von den Standardkomponenten entfernt wird, sollte auf geeignete beruhen Die Art und Weise, um sicherzustellen, dass der menschliche K?rper, wie zum Beispiel den Einsatz von Bodenerdungsring; FET Natürlich, wenn der Einsatz von fortschrittlichen Gasw?rme und Bügeleisen, ist Schwei? FET ganz einfach, und die Sicherheit zu gew?hrleisten, nicht das Ger?t auszuschalten, zu der Zeit, überhaupt nicht Die R?hre eingeführt oder aus der Schaltung Schaltung entfernt. Weitere Sicherheitsma?nahmen bei der Verwendung des FET genommen werden. fqp13n50c gro?er Strom FET, MOSFET, Fairchild MOSFET R?hre nach mehr parallel, durch eine entsprechende Erh?hung der Kapazit?t zwischen den Elektroden und verteilte Kapazit?t, Hochfrequenzeigenschaften des Verst?rkers verschlechtert IRFB4115 FET Verst?rkerrückkopplungs anf?llig für Hochfrequenz Schwingen. Zu diesem Zweck ist das Rohr im allgemeinen parallelen Hybridrohr nicht mehr als 4, und anti St?rschwingung Widerstand in Reihe zu jedem R?hrchen auf der Basis oder dem Gate. Gate-Source-Spannung JFET kann nicht rückg?ngig gemacht werden, die Sie im ge?ffneten Zustand speichern kann, w?hrend die Sperrschicht-Feldeffekttransistor, wenn nicht in Gebrauch ist, aufgrund seiner sehr hohen Eingangswiderstand, so ist jede Elektrodenkurzschluss, um die ?u?eren elektrischen Feldes zu vermeiden Verlassen der Rohrsch?den. Hochstrom-FET FET _ _ sind fruchtbare Electronics Dongguan City ist von Wal-Electronic Technology Co., Ltd. Dongguan City ist Wal-Electronic Technology Co., Ltd (www.dgmydz.com) starke, glaubwürdige, FET und andere Industrien in Dongguan, Guangdong hat eine gro?e Zahl von treuen Kunden angesammelt. Das Unternehmen bessere Arbeitshaltung und verbessert st?ndig innovative Ideen führen wird die Elektronik ist fruchtbar und Sie Hand in die brillante, für eine bessere Zukunft! |
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Technischer Support: ShenZhen Immer Technology Development Co., Ltd
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